SJ 20843-2002 砷化镓单晶AB微缺陷密度定量检验方法
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文件大小(MB)： |
0.59 |
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7 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5971 SJ 20843—2002,神化钱单晶AB微缺陷密度定量检验方法,Quantitative determination of AB microscopic defect density,in gallium arsenide single crystal,2002-10-30 发布2003-03-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,珅化钱单晶AB微缺陷密度定量检验方法,SJ 20843—2002,Quantitative determination of AB microscopic defect density,in gallium arsenide single crystal,范围,L !主题内容,本标准规定了珅化银单晶中 幽微缺陷徵戰験,L 2适用范围 よオ限!飜ヌ,本标准适用于晶向为ズ1濟ス於珅編革晶中施微缺陷,3.1 AB腐蚀液,2引用文件,本章无条文◎,4. 2测量环境条件,测量应在洁浄实验室内进行ラ,5详细要求,京变;二,用于显示碑布 之 :图澈掐的ー种化孝爾画^,3.2 AB微缺陷，盛;で石磁迨狽審^,种化铁单晶ん光晶趁擔恭箍灘籁贲缓齣添出的点状腐蚀整簷,3 . 3 AB微缺陷超国由而誥蠢循諳屈温篋*爲 而，fef,单位面积内る盪轨曲腐瞬的个数‘记为段,葭*;蕪每丸E會暦眞,%看養梃尔羨キ藍还或袋m親游,4 一般要求 1矣な キ棒峰逐蕊菸笠年演ザ榭,4.1 测量的标准大气綁电,a.环境温度:有2n中,氏相对湿度:ヨ站%ア看,氣ザ***,喙無洗f環眼珊如験t（犠瞬簿冢,’5 I 方嘍提亜,’采メ择优化学腐蚀技术显示缺陷,碑化铉单晶中富碑析出相等缺陷处，在AB腐蚀液中优先受到,浸蚀,形成腐蚀坑口计量单位面积上腐蚀坑的个数即得到AB微缺陷密度,5.2试剂和材料,5.2ハ,5. 2.2,5. 2.3,52 4,稍酸银（AgN6）,分析纯,三氧化珞（0。3）,分析纯,氢氟酸（HF）,优级纯,去离子水◎,中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003HJ3-0I 实施,3定义,SJ 20843—2002,5. 2.5硫酸（H2soa 优级纯甲,5.2.6双氧水（ル6）,优级纯,5, 2.7金刚砂,305セ,5.2.8化学抛光液,按H2s0ガH2O2:出0=3： 1： 1 （体积比）配制?,5. 2.9 AB腐蚀液,按如下比例配制:,H2O,AgNO3,CrO3,HF,20 ml,80 mg,10g,10 ml,配制时,应按上述顺序加入塑料烧杯中,5.3仪器、设备,5.37 装有微分干涉附件的金相显微镜,放大倍数大于或等于100倍,5.3.2图象分析系统,5.3. 3塑料烧杯O,5.3.4塑料量筒,5. 3.5天平,准确度0.1 mg.,5.4 试样制备,5.4.I 从单晶锭的待测部分经定向后切取试样,试样厚度应不小于0.6 mm、晶向偏离度不大于8,并不应碎裂,5.4.2 对于圆形单晶片,试样可以是整片,也可以是U4圆片,试样为1/4圆片时,取样时在X、Y方,向的长度应大于半径,以保留测量点的位置,5.4.3 将取得的试样用305‘金刚砂水浆研磨,以使表面平整光洁无划痕,5.4.4 将研磨好的试样用新配制的化学抛光液抛光或机械抛光,以使表面平滑呈镜面,5.5 程序 ス,5.5.1 AB微缺陷显示,5. 5.1.1将试样置于温度为室温（18C~25C）的AB腐蚀液中,腐蚀5 min.15 min，腐蚀过程中,应不断搅拌,5.5. 1.2将腐蚀后的试样放入盛有去离子水的玻璃烧杯中,加热清洗,5.5. 1.3取出样品,吹干表面O,5.5.2 AB微缺陷的特征,用金相显微镜在100倍或200倍下观察,其珅化傢单晶AB微缺陷密度较高时的典型形态为呈链,状排列的腐蚀坑ワ图1为半绝缘碑化锦单品AB微缺陷典型形态图.,图1 AB微缺陷的典型形态 X200,2,SJ 20843—2002,5.5 3测量,5. 5 3.1测量点位置,a. I形单晶片的测量点位置和序号示于图2,(7io>,(010),6,4,2,?<110),D,メグ鼠デW黑鼠3的测量点位置,意窓嘉湖讓翔優点位置,ァ製七結";じ”二号Jロアオべ陰,去除晶片直花a窗岛範边缘区域,在第短億内,沿 ⑴。）、,点为ー测量点,刷量燃事］歯匐腐淑烈な愣や漆鹽丒",b.,"i "','".'b ^1/t も 祥 一ヽ f工:ヽ く* セ丿 、、 -H 丒 人 7 ▼、?h , V- ■. ■■■ <■ --■ , Rヘ,D形晶片的测量源検置和原号河嚴关W也,セ ぎ 丒セ:1「寸モ中『『錢イ』，『-', 二"-:ザ…”局,笈 丒3…メ不 V 知工丒を丒ユペード丒ドどンセホ- 、依-ペーモーJ竟fナ条！ スペ そ "ヒ?:ザビ“^卷?演学零之,ス fc * 3"丒「へや .切、ハ マセ 曼 I 鞋、，くかい… J,展率逐、質毎I,言/羽 ?t冷?ffiftD （lib西向取1 点,中心,モやぎ話 1 U 鼻,落明嚥;，、琮,耳ン嘘丒シ冷,ちH 1?I亭丒丒ミ,案不訳;蝎,エ」,；:冷”…卷,陸中ザグ,4丒,紛マ,园,J,れ rM _,如图3所示，在整个试样表面上取点中,图3中,郎为试样宽度,L为测量点之间的间隔ウ,か<30 mm时丒,30^FT<50 mm 时,50W 郎VgOmm 时,80W『V120 mm 时,取 し-3 mmo,取 し-5 mm 0,取丄=8 mm 〇,取 ￡==12 mm ロ,郎》120 mm 时,^i=18mmo,5……
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